--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IRFS720-VB 產(chǎn)品簡介
**IRFS720-VB** 是一款高壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝。它具備耐高電壓能力、較低的導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能,適用于各種高壓應(yīng)用。該 MOSFET 主要用于需要高耐壓和中等電流的場合,如電源管理、電動機驅(qū)動和開關(guān)電路等。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單 N 通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **門檻電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ(在 VGS = 10V 時)
- **最大漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:平面型(Planar)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理**:
- **應(yīng)用**:在開關(guān)電源(SMPS)中,IRFS720-VB 能夠承受高電壓并提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。其較低的導(dǎo)通電阻和高電壓耐受能力,使其適合用作高電壓電源中的主開關(guān)或同步整流器。
- **示例**:在一個高壓開關(guān)電源中,用作輸入濾波電路中的開關(guān) MOSFET,確保高效轉(zhuǎn)換電源并管理功率損耗。
2. **電動機驅(qū)動**:
- **應(yīng)用**:在電動機驅(qū)動電路中,IRFS720-VB 可以作為電動機的驅(qū)動開關(guān),用于控制電流的開關(guān),從而實現(xiàn)電動機的啟動、停止和調(diào)速功能。
- **示例**:在一個直流電動機驅(qū)動系統(tǒng)中,MOSFET 用于高電壓側(cè)的開關(guān)控制,保證電動機的穩(wěn)定運行并減少開關(guān)噪音。
3. **開關(guān)電路**:
- **應(yīng)用**:適用于高壓開關(guān)電路,如高壓負(fù)載的開關(guān)控制。IRFS720-VB 具有高耐壓特性,可以安全地處理高電壓信號,并在負(fù)載變化時保持良好的開關(guān)性能。
- **示例**:在一個高壓負(fù)載的開關(guān)控制系統(tǒng)中,用于電源開關(guān)部分,通過 MOSFET 實現(xiàn)高效、可靠的開關(guān)操作。
這種 MOSFET 的高耐壓特性和較高的電流承載能力,使它在高壓應(yīng)用中非??煽?,并適合用在需要高電壓和中等電流的多種場合。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12