91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

ITA08N60A-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): ITA08N60A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### ITA08N60A-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

ITA08N60A-VB 是一款高壓?jiǎn)?N 溝道 MOSFET,采用 TO-220F 封裝,專為高功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有 650V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS),可廣泛應(yīng)用于高壓電源和電機(jī)控制等場(chǎng)合。ITA08N60A-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 10V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為 830mΩ,支持高達(dá) 10A 的漏極電流 (ID)。其閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,使得在適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)下能夠穩(wěn)定導(dǎo)通。采用 Plannar 技術(shù),確保其在高壓和高功率應(yīng)用中的可靠性和性能。

### ITA08N60A-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)類型**: Plannar

### ITA08N60A-VB 適用領(lǐng)域和應(yīng)用模塊

1. **高壓電源**:ITA08N60A-VB 被廣泛應(yīng)用于高壓電源模塊,如開關(guān)電源 (SMPS) 和逆變器。其高漏源極電壓 (VDS) 能夠承受高壓工作環(huán)境,適合在大功率轉(zhuǎn)換中使用,確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電機(jī)控制**:在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,該 MOSFET 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng),尤其是需要高電壓和高電流的應(yīng)用。其高電流承載能力和導(dǎo)通性能,使其成為驅(qū)動(dòng)各種電機(jī)和執(zhí)行器的理想選擇。

3. **電動(dòng)工具**:ITA08N60A-VB 也適用于電動(dòng)工具中的高功率開關(guān)電路,如電鉆、鋸子等設(shè)備。其高壓能力和優(yōu)良的導(dǎo)電性能確保工具在運(yùn)行時(shí)的安全與效率。

4. **照明系統(tǒng)**:該器件在高壓 LED 照明驅(qū)動(dòng)中也有應(yīng)用,能夠穩(wěn)定供電并提高 LED 的工作效率,適合在商業(yè)和工業(yè)照明系統(tǒng)中使用。

總體而言,ITA08N60A-VB 是一款性能優(yōu)越的高壓 MOSFET,廣泛應(yīng)用于多種高功率電源和控制系統(tǒng)中,特別適合對(duì)高電壓和高功率要求嚴(yán)格的模塊。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    515瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    436瀏覽量