--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**JCS7N60FA-VB** 是一款高壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專(zhuān)為高壓應(yīng)用而設(shè)計(jì),能夠承受高達(dá) 650V 的漏源電壓 (VDS) 和最大柵源電壓 (VGS) 為 ±30V。其閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,具有良好的開(kāi)關(guān)特性。JCS7N60FA-VB 的 RDS(ON) 為 1100mΩ,確保在高電流下的低導(dǎo)通損耗,適用于高效能的電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: JCS7N60FA-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單一 N 通道
- **VDS(漏源電壓)**: 650V
- **VGS(柵源電壓)**: ±30V
- **Vth(閾值電壓)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 1100mΩ (在 VGS = 10V 時(shí))
- **ID(漏電流)**: 7A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù)(Planar)
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **高壓開(kāi)關(guān)電源**: JCS7N60FA-VB 由于其650V 的高耐壓特性,特別適用于高壓開(kāi)關(guān)電源,能夠高效地管理和轉(zhuǎn)換電能,提升整體系統(tǒng)效率。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**: 該 MOSFET 適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,能夠處理高達(dá) 7A 的漏電流,非常適合工業(yè)電機(jī)及家用電器的驅(qū)動(dòng)控制。
3. **LED 照明控制**: JCS7N60FA-VB 可用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,借助其低 RDS(ON) 值,提高能量轉(zhuǎn)換效率,確保 LED 的高亮度和長(zhǎng)壽命。
4. **汽車(chē)電源管理**: 在汽車(chē)電子中,該 MOSFET 可以用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和電池管理系統(tǒng),以高效和穩(wěn)定的性能滿(mǎn)足汽車(chē)對(duì)電源的需求。
5. **能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)**: 由于其出色的開(kāi)關(guān)性能和高壓能力,該 MOSFET 適合于各種能源轉(zhuǎn)換設(shè)備,如逆變器和充電器,實(shí)現(xiàn)高效能的能量傳輸。
通過(guò)這些領(lǐng)域的應(yīng)用示例,可以看出 JCS7N60FA-VB 在現(xiàn)代電源管理和高效能電路設(shè)計(jì)中的重要性,能夠?yàn)槎喾N應(yīng)用提供可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛