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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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JCS7N60F-O-F-N-B-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): JCS7N60F-O-F-N-B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

JCS7N60F-O-F-N-B-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 通道 MOSFET,專為高電壓和中等功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件能夠承受高達(dá) 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS),適合在多種嚴(yán)苛電氣環(huán)境中運(yùn)行。JCS7N60F 采用平面(Plannar)技術(shù),提供了可靠的導(dǎo)電特性和相對(duì)較高的熱性能。在柵極電壓為 10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1100mΩ,最大漏極電流 (ID) 可達(dá)到 7A。這種設(shè)計(jì)使其在高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色,滿足多種工業(yè)和消費(fèi)電子需求。

**二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**

- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:?jiǎn)?N 通道  
- **漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:7A  
- **技術(shù)**:平面(Plannar)  

**三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:JCS7N60F-O-F-N-B-VB 在電源轉(zhuǎn)換器中應(yīng)用廣泛,尤其是在需要高電壓輸出的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其高耐壓性能使其能夠安全高效地處理復(fù)雜的電力系統(tǒng)。

2. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,該 MOSFET 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載控制,為設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的電流輸出。

3. **開關(guān)電源**:在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,JCS7N60F 是理想的開關(guān)元件,能夠在高頻操作條件下有效工作,保證電源輸出的穩(wěn)定性和效率。

4. **家電設(shè)備**:該 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于各類家電產(chǎn)品的電源管理模塊中,確保設(shè)備在高電壓條件下安全運(yùn)行,提升性能和使用壽命。

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