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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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JCS7N60F-R-F-N-B-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): JCS7N60F-R-F-N-B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### JCS7N60F-R-F-N-B-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

JCS7N60F-R-F-N-B-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 650V,能夠承受高電壓操作,適合廣泛的電力電子應(yīng)用。其柵源電壓 (VGS) 額定為 ±30V,具有良好的穩(wěn)定性和控制能力。該 MOSFET 的門限電壓 (Vth) 為 3.5V,能夠快速開啟,提升工作效率。JCS7N60F-R-F-N-B-VB 在 VGS 為 10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1100mΩ,最大漏極電流 (ID) 為 7A,適合需要高效電源轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。憑借其出色的電氣性能和可靠性,這款 MOSFET 是電源管理和電機(jī)控制等應(yīng)用的理想選擇。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: JCS7N60F-R-F-N-B-VB  
- **封裝**: TO220F  
- **配置**: 單 N 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 7A  
- **技術(shù)類型**: Plannar  
- **最大功耗 (PD)**: 65W  
- **熱阻 (RθJC)**: 5°C/W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

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### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: JCS7N60F-R-F-N-B-VB 廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,可以處理高達(dá) 650V 的電壓,確保高效能的電源管理,適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備中的電源模塊。

2. **電機(jī)控制**: 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用作高電壓開關(guān),適合直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的控制,通過調(diào)節(jié)電流提供平穩(wěn)的啟動(dòng)和運(yùn)行,滿足工業(yè)自動(dòng)化需求。

3. **逆變器**: 該器件適用于逆變器設(shè)計(jì),特別是在太陽能和風(fēng)能系統(tǒng)中,能夠有效將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,支持可再生能源的利用,增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

4. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**: JCS7N60F-R-F-N-B-VB 適合用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,在高壓 LED 照明應(yīng)用中,提供穩(wěn)定的電流控制,確保高亮度和長(zhǎng)壽命的 LED 照明解決方案。

5. **消費(fèi)電子**: 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,該 MOSFET 可用于充電器、適配器等電源管理模塊,幫助實(shí)現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換和管理,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的要求。

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