91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

JCS840F-O-F-N-B-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: JCS840F-O-F-N-B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡介:**

JCS840F-O-F-N-B-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 通道 MOSFET,旨在滿足高電壓和中等電流應用的需求。其最大漏源電壓 (VDS) 為 650V,柵源電壓 (VGS) 可承受 ±30V,適合在多種電力系統(tǒng)中使用。該器件的閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,導通電阻 (RDS(ON)) 為 680mΩ(在 VGS 為 10V 時),漏極電流 (ID) 可達到 12A。其平面(Plannar)技術確保了器件的高效能和穩(wěn)定性,使其在電源管理和電機控制等應用中表現(xiàn)出色。

**二、詳細參數(shù)說明:**

- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:單 N 通道  
- **漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:680mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:12A  
- **技術**:平面(Plannar)  

**三、適用領域和模塊舉例:**

1. **電源轉換器**:JCS840F-O-F-N-B-VB 常用于電源轉換器,特別是需要高電壓和高效率的 DC-DC 轉換器。這種 MOSFET 能夠在電源轉換過程中保持低的導通損耗,提升整體系統(tǒng)效率。

2. **電機控制**:在工業(yè)自動化和電動機驅動應用中,該器件可用作開關元件,控制電機的啟停與運行狀態(tài),提供高效的電力管理。

3. **開關電源**:該 MOSFET 適用于開關電源設計中,能夠承受高頻率操作下的高電壓,有助于提升開關電源的性能和穩(wěn)定性。

4. **高壓應用**:在一些需要高電壓控制的消費電子產(chǎn)品和工業(yè)設備中,JCS840F 能夠安全有效地進行電源管理,確保設備在極端條件下的可靠運行。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    507瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    428瀏覽量