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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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JCS840F-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: JCS840F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### JCS840F-VB 產(chǎn)品簡介

JCS840F-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 650V,適合在高電壓環(huán)境下工作,確保設(shè)備的可靠性和耐用性。其柵源電壓 (VGS) 額定為 ±30V,具有良好的驅(qū)動能力,適合多種控制電路。門限電壓 (Vth) 為 3.5V,使得該 MOSFET 可以在較低電壓下快速導(dǎo)通。JCS840F-VB 在 VGS 為 10V 時的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 680mΩ,最大漏極電流 (ID) 為 12A,具有優(yōu)越的導(dǎo)通性能,適合要求高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。憑借其卓越的性能和穩(wěn)定性,JCS840F-VB 是電源管理和電機(jī)控制等多種應(yīng)用的理想選擇。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: JCS840F-VB  
- **封裝**: TO220F  
- **配置**: 單 N 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 12A  
- **技術(shù)類型**: Plannar  
- **最大功耗 (PD)**: 65W  
- **熱阻 (RθJC)**: 5°C/W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**: JCS840F-VB 可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源設(shè)計(jì),支持高達(dá) 650V 的輸入電壓,適合用于各種電源轉(zhuǎn)換模塊,提供高效能和穩(wěn)定性。

2. **電機(jī)驅(qū)動**: 在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域,該 MOSFET 適合用于直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動,能夠處理較高的漏極電流 (ID),確保電機(jī)的平穩(wěn)啟動和高效運(yùn)行。

3. **逆變器**: 該器件是太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中重要的組成部分,能夠?qū)⒅绷麟姼咝мD(zhuǎn)換為交流電,適用于光伏發(fā)電和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)。

4. **LED 驅(qū)動電路**: 在 LED 照明應(yīng)用中,JCS840F-VB 可用于驅(qū)動高功率 LED,確保穩(wěn)定的電流控制,提高 LED 的亮度和使用壽命。

5. **消費(fèi)電子**: 該 MOSFET 可用于充電器和電源適配器等消費(fèi)電子產(chǎn)品,提供高效的電源管理解決方案,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對體積小和性能高的要求。

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