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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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JCS9N50FC-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: JCS9N50FC-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### JCS9N50FC-VB MOSFET產(chǎn)品簡介

JCS9N50FC-VB是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和高功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源極電壓(VDS)為650V,適用于嚴(yán)苛的電氣環(huán)境。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在適當(dāng)?shù)臇艠O電壓下能夠迅速開啟。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為680mΩ(在VGS=10V時(shí)),在高電流條件下表現(xiàn)出色,額定漏極電流(ID)為12A,使其成為高功率應(yīng)用的理想選擇。JCS9N50FC-VB具有良好的熱性能和可靠性,是各類電源和驅(qū)動電路中不可或缺的元件。

### JCS9N50FC-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道MOSFET
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 680mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 12A
- **技術(shù)**: Plannar

### JCS9N50FC-VB應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **高壓開關(guān)電源**: JCS9N50FC被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,其650V的耐壓特性使其能夠處理高電壓輸入,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

2. **電動機(jī)控制系統(tǒng)**: 在各種電動機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,JCS9N50FC能夠提供高達(dá)12A的漏極電流,非常適合用作電動機(jī)驅(qū)動器中的開關(guān)元件,支持高效的電能轉(zhuǎn)換。

3. **電力電子轉(zhuǎn)換**: 該MOSFET適用于直流到交流(DC-AC)逆變器等電力電子設(shè)備,能夠高效地管理電流流動,實(shí)現(xiàn)更好的能量轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)性能。

4. **LED照明驅(qū)動**: 在LED驅(qū)動電路中,JCS9N50FC可用于調(diào)節(jié)電流,確保LED以最佳性能運(yùn)行,同時(shí)減少能量損失,延長LED壽命。

通過這些應(yīng)用,JCS9N50FC-VB展示了其在高壓和高功率領(lǐng)域的廣泛適用性,提供了高效、可靠的解決方案,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。

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