91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K1118-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1118-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1118-VB 產(chǎn)品簡介

K1118-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓開關(guān)和電源管理應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 高達(dá) 650V,適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換器和工業(yè)設(shè)備中。該 MOSFET 的門限電壓 (Vth) 為 3.5V,能夠在較低的柵源電壓下快速導(dǎo)通,提升了開關(guān)速度和系統(tǒng)效率。K1118-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 10V 時(shí)為 1100mΩ,支持最高 7A 的漏極電流 (ID),使其在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合需要高效能和可靠性的電路設(shè)計(jì)。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: K1118-VB  
- **封裝**: TO220F  
- **配置**: 單 N 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 1100mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 7A  
- **技術(shù)類型**: Plannar  
- **最大功耗 (PD)**: 50W  
- **熱阻 (RθJC)**: 2°C/W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: K1118-VB 被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,利用其高電壓和高電流能力,確保系統(tǒng)在高負(fù)載下的穩(wěn)定性和高效能,特別適合用于計(jì)算機(jī)電源和工業(yè)電源模塊。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 該 MOSFET 可用于電動(dòng)機(jī)控制電路,尤其是在電動(dòng)工具、家用電器和電動(dòng)車輛中,幫助實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和良好的控制特性,提升整體性能。

3. **逆變器應(yīng)用**: K1118-VB 適合于太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng),可以高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,支持高電壓和高功率的電能轉(zhuǎn)換,提高可再生能源的利用效率。

4. **高頻開關(guān)電路**: 由于其較低的導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)特性,K1118-VB 適用于高頻率的開關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備和計(jì)算機(jī)系統(tǒng),幫助提高整體的能效和響應(yīng)速度。

5. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**: 該 MOSFET 可用于高功率 LED 驅(qū)動(dòng),提供穩(wěn)定的電流輸出,確保 LED 照明的亮度和一致性,適合在商業(yè)和工業(yè)照明解決方案中使用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    506瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    428瀏覽量