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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K11A45D-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K11A45D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K11A45D-VB是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專(zhuān)為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為650V,最大柵源電壓(VGS)為±30V,能夠在苛刻的工作環(huán)境中提供可靠的性能。K11A45D-VB的閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在低電壓下迅速開(kāi)啟,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為10V時(shí)為680mΩ,支持最大漏電流(ID)為12A。該器件非常適合用于開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)控制等需要高效能量管理的場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **產(chǎn)品型號(hào)**: K11A45D-VB
- **封裝類(lèi)型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 12A
- **技術(shù)類(lèi)型**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
K11A45D-VB MOSFET可廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,具體包括:

1. **開(kāi)關(guān)電源**: 在高效開(kāi)關(guān)電源中,K11A45D-VB可作為主要開(kāi)關(guān)元件,幫助實(shí)現(xiàn)高電壓下的有效能量轉(zhuǎn)換,提升整體能效。

2. **電機(jī)控制**: 該器件適合用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能,確保電動(dòng)機(jī)在啟動(dòng)、停止及變速過(guò)程中的高效控制。

3. **電源管理系統(tǒng)**: K11A45D-VB廣泛應(yīng)用于不間斷電源(UPS)和電源適配器中,作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

4. **工業(yè)設(shè)備**: 在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,K11A45D-VB可用于高電流和高電壓的控制電路,確保設(shè)備在極端條件下的正常運(yùn)行。

通過(guò)這些應(yīng)用,K11A45D-VB能夠?yàn)楦鞣N高壓和高電流的電子設(shè)備提供高效的電源管理解決方案,確保系統(tǒng)的安全和可靠性。

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