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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K11A55D-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K11A55D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K11A55D產(chǎn)品簡介

K11A55D是一款高性能單N溝道MOSFET,設(shè)計用于高壓電力應(yīng)用。它采用TO220F封裝,具有650V的最大漏源極電壓(VDS),非常適合在高電壓和高功率的電路中使用。該MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為680mΩ(在10V柵源極電壓下),確保在額定漏極電流(ID)為12A的條件下,能保持較低的功耗和溫升。閾值電壓(Vth)為3.5V,便于在標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動電壓下快速導(dǎo)通。K11A55D采用Plannar技術(shù),提供了出色的性能和可靠性,廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電源及各種高壓電路。

### 二、K11A55D詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)             | 數(shù)值                   |
| ---------------- | ---------------------- |
| **封裝類型**     | TO220F                 |
| **配置**         | 單N溝道                |
| **漏源極電壓**   | 650V                   |
| **柵源極電壓**   | ±30V                   |
| **閾值電壓**     | 3.5V                   |
| **導(dǎo)通電阻**     | 680mΩ @ VGS=10V       |
| **漏極電流**     | 12A                    |
| **技術(shù)類型**     | Plannar                |

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**  
  K11A55D廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS),能夠在650V高壓下高效運(yùn)行。其較低的導(dǎo)通電阻可以有效降低能耗,提高整體系統(tǒng)效率,適用于各種電子設(shè)備的電源管理。

2. **電動機(jī)驅(qū)動**  
  在電動機(jī)控制應(yīng)用中,K11A55D可用作功率開關(guān),控制電動機(jī)的啟停及速度調(diào)節(jié)。其高電流承載能力和低熱量特性使其非常適合用于工業(yè)電動機(jī)和家用電器的驅(qū)動。

3. **逆變器**  
  該MOSFET適用于太陽能逆變器和電動汽車充電器,能夠在高電壓下可靠地轉(zhuǎn)換直流電為交流電,其優(yōu)越的開關(guān)性能有助于提高能效和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

4. **照明控制系統(tǒng)**  
  K11A55D在高壓照明控制系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,如LED驅(qū)動器和高壓鹵素?zé)艨刂?,能夠有效調(diào)節(jié)電流,提升光源的使用效率和壽命。

5. **汽車電子**  
  在汽車電源管理系統(tǒng)中,K11A55D可用于高壓電池管理、動力系統(tǒng)和高效能照明系統(tǒng),確保在各種駕駛條件下的安全性和可靠性。

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