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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K1351-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1351-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1351-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K1351-VB是一款高電壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計(jì)用于高達(dá)650V的應(yīng)用場(chǎng)合。其最大漏電流(ID)為7A,能夠支持多種工業(yè)和電力電子設(shè)備的需求。此器件具有較高的閾值電壓(Vth)為3.5V,適合于要求較高電壓的場(chǎng)景。使用Plannar技術(shù),K1351-VB具備較高的穩(wěn)定性和可靠性,同時(shí)導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在10V柵電壓下達(dá)到1100mΩ,適用于高電壓和高功率的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: K1351-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N通道
- **最大漏源電壓(VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

K1351-VB適用于多個(gè)領(lǐng)域,尤其在以下應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì):

1. **電力轉(zhuǎn)換**: 在高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器中,K1351-VB可以作為開關(guān)元件,以其高電壓承受能力和可靠性確保穩(wěn)定的電源輸出,特別是在可再生能源系統(tǒng)如太陽能和風(fēng)能發(fā)電中。

2. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,該MOSFET能夠提供所需的高電流,以驅(qū)動(dòng)大型電機(jī),確保系統(tǒng)的高效運(yùn)作。

3. **電力電子**: 在電力調(diào)節(jié)和功率管理模塊中,K1351-VB可用于實(shí)現(xiàn)高效率的功率轉(zhuǎn)換和控制,尤其適合大功率應(yīng)用。

4. **家用電器**: 在高壓電器產(chǎn)品中,如空調(diào)和冰箱,K1351-VB能夠有效管理和調(diào)節(jié)電源,確保設(shè)備的安全運(yùn)行與能效。

以上特點(diǎn)使得K1351-VB在各種高壓和高功率應(yīng)用中成為理想的選擇。

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