--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K1553-VB 產(chǎn)品簡介
K1553-VB 是一款高壓 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 4A 的最大漏電流 (ID)。其閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,確保在較高電壓條件下的穩(wěn)定工作。該器件采用 Plannar 技術(shù),具有較高的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 2560mΩ @ VGS = 10V,適合于高壓電源和開關(guān)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO220F
- **配置**: Single-N-Channel
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **Vth**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **ID**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
K1553-VB 適用于多個高壓電源和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。它在開關(guān)電源、逆變器和電動汽車充電器等應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效管理高電壓下的電流流動。在工業(yè)自動化和電力電子設(shè)備中,該 MOSFET 可用于驅(qū)動電機和控制高壓負(fù)載,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。此外,K1553-VB 還可用于通信設(shè)備的電源管理,滿足高電壓和高可靠性的需求。
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