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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1566-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1566-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1566-VB 產(chǎn)品簡介

K1566-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝設(shè)計,專為高電壓和中等電流應(yīng)用而設(shè)計。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 可達(dá)到 650V,適合在高壓環(huán)境中運(yùn)行。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 時為 680mΩ,這使得 K1566-VB 在傳導(dǎo)效率方面表現(xiàn)出色,能夠降低能量損耗。產(chǎn)品的閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,確保在適當(dāng)?shù)臇烹妷合驴焖賹?dǎo)通。K1566-VB 的額定漏電流 (ID) 為 12A,能夠滿足多種應(yīng)用場景的需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:K1566-VB
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:680mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:12A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

K1566-VB 在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力,主要包括:

1. **電源管理系統(tǒng)**:
  - 在高壓開關(guān)電源 (SMPS) 中,K1566-VB 可用于高效率的功率轉(zhuǎn)換,降低系統(tǒng)在工作時的能量損耗,提升整體能效。

2. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動**:
  - 該 MOSFET 適用于工業(yè)電機(jī)的控制和驅(qū)動,能夠處理高電壓和電流需求,確保在電機(jī)啟動和運(yùn)行過程中的可靠性和穩(wěn)定性。

3. **電動汽車(EV)**:
  - 在電動汽車的電池管理和動力系統(tǒng)中,K1566-VB 可用于高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提供高效的電力轉(zhuǎn)換和分配。

4. **光伏逆變器**:
  - K1566-VB 適合用于光伏逆變器中,以高效地將光伏模塊產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,滿足家庭和工業(yè)電力需求。

5. **UPS(不間斷電源)**:
  - 在 UPS 系統(tǒng)中,該器件可以用于電源轉(zhuǎn)換和切換,提供持續(xù)的電力供應(yīng),確保設(shè)備在停電或電壓波動時的穩(wěn)定運(yùn)行。

綜上所述,K1566-VB 是一款性能優(yōu)越的高壓 N 溝道 MOSFET,能夠在多種高電壓和高效率的電子應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對電源管理和控制的需求。

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