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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K1627-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1627-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1627-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K1627-VB 是一款高性能的單N通道 MOSFET,專為高電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì),采用 TO220F 封裝。其最大漏源電壓(VDS)可達(dá) 650V,使其在電力電子和工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。該 MOSFET 具有 ±30V 的柵源電壓(VGS)承受能力,閾值電壓(Vth)為 3.5V。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ(@VGS=10V),可支持最大漏電流(ID)為 7A。K1627-VB 以其穩(wěn)定性和高效性,適用于多種高壓電源及控制應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:?jiǎn)蜰通道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ(@VGS=10V)  
- **最大漏電流 (ID)**:7A  
- **技術(shù)**:Plannar  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

K1627-VB 廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備、逆變器、開關(guān)電源等高壓模塊中。在光伏逆變器中,它能夠有效控制太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的電力流動(dòng),提高能量轉(zhuǎn)換效率。在電動(dòng)汽車充電器中,其高耐壓特性使其能夠穩(wěn)定工作,確保充電安全。此外,K1627-VB 還適合用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、焊接設(shè)備和高壓電源管理系統(tǒng),以實(shí)現(xiàn)高效的電能控制和轉(zhuǎn)換。其出色的性能使其在高壓應(yīng)用場(chǎng)合具有良好的適應(yīng)性和可靠性。

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