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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K1862-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1862-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K1862-VB是一款高電壓?jiǎn)蜰通道MOSFET,專為高效能和高可靠性設(shè)計(jì)。它采用TO220F封裝,適用于各種工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為650V,能夠在高壓應(yīng)用中穩(wěn)定工作,適合于電力電子領(lǐng)域的多種需求。最大漏電流(ID)為4A,結(jié)合其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2560mΩ(在VGS=10V時(shí)),使得其在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下具有合理的損耗性能,提升了整體系統(tǒng)的能效。采用Plannar技術(shù)的K1862-VB在溫度控制和熱管理方面表現(xiàn)出色,適用于較為嚴(yán)苛的環(huán)境。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**:K1862-VB  
- **封裝**:TO220F  
- **配置**:Single-N-Channel  
- **VDS**:650V  
- **VGS**:±30V  
- **Vth**:3.5V  
- **RDS(ON)**:2560mΩ(@VGS=10V)  
- **ID**:4A  
- **技術(shù)**:Plannar  

### 適用領(lǐng)域和模塊
K1862-VB廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,尤其是在高壓電源轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng)中。它非常適合用作開(kāi)關(guān)電源(SMPS)的開(kāi)關(guān)元件,幫助實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,降低能耗。此外,該MOSFET也可用于逆變器應(yīng)用,支持太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)換,提升系統(tǒng)整體效率。在工業(yè)控制系統(tǒng)中,如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理模塊,K1862-VB可以有效地控制電流,提高電機(jī)的運(yùn)行性能。其穩(wěn)定的電壓和電流承載能力使其在家用電器和商業(yè)設(shè)備中同樣得以應(yīng)用,確保可靠性和效率。

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