--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K1863-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K1863-VB 是一款高電壓?jiǎn)蜰通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為650V的應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)。該器件的最大漏電流(ID)為4A,適合在多種中等功率電子設(shè)備中使用。其閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在相對(duì)較低的柵電壓下即可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。此外,K1863-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2560mΩ@VGS=10V,盡管其導(dǎo)通電阻相對(duì)較高,但在高壓應(yīng)用中依然能夠有效地控制功耗和提升效率。采用平面(Plannar)技術(shù),使得該器件具備較好的熱性能和穩(wěn)定性,廣泛適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。
### K1863-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**:K1863-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰通道
- **額定漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:平面(Plannar)
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
K1863-VB 的設(shè)計(jì)使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中得以應(yīng)用,以下是一些具體示例:
1. **高壓開關(guān)電源**:K1863-VB 以其650V的額定電壓,非常適合用于開關(guān)電源中的高壓開關(guān)組件,能夠處理電源輸入端的高壓,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在中等功率的電機(jī)控制系統(tǒng)中,該MOSFET 可用于H橋電路,提供高效的電流控制,適合于小型家用電器或自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
3. **LED驅(qū)動(dòng)器**:K1863-VB 可應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)電路中,支持高電壓操作,確保在多種照明環(huán)境下穩(wěn)定工作,適合工業(yè)和商業(yè)照明系統(tǒng)。
4. **功率放大器**:在音頻功率放大器和RF放大器電路中,K1863-VB 可以用于開關(guān)和控制信號(hào)的高壓部分,確保信號(hào)的穩(wěn)定傳輸。
5. **不間斷電源(UPS)**:該器件可用于UPS系統(tǒng)中的電源轉(zhuǎn)換模塊,以承受高電壓并提供穩(wěn)定的輸出,確保在停電時(shí)為負(fù)載提供可靠的電源。
綜上所述,K1863-VB 是一款適合650V高電壓和中等電流應(yīng)用的MOSFET,廣泛應(yīng)用于高壓開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)器、功率放大器以及不間斷電源等多個(gè)領(lǐng)域,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高性能和可靠性的要求。
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