91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K2044LS-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2044LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2044LS-VB 產(chǎn)品簡介

K2044LS-VB 是一款單N溝道MOSFET,封裝為TO220F。它具備650V的擊穿電壓和4A的最大電流能力,適用于需要高耐壓且低電流的電源管理和開關(guān)電路應(yīng)用。該MOSFET采用了傳統(tǒng)的平面工藝技術(shù),其耐壓高、穩(wěn)定性好,適合在高電壓的應(yīng)用中使用,如工業(yè)電源設(shè)備和家用電器。它的柵極電壓范圍為±30V,門限電壓為3.5V,適合較寬范圍的柵極驅(qū)動電壓。

### 二、K2044LS-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)類型**: 平面工藝
- **最大耗散功率**: 45W (典型值)
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ 150°C
- **輸入電容 (Ciss)**: 1200pF (典型值)
- **輸出電容 (Coss)**: 85pF (典型值)
- **反向恢復(fù)時間 (trr)**: 350ns (典型值)

### 三、K2044LS-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源管理和電壓調(diào)節(jié)**  
  K2044LS-VB 可用于高壓電源管理領(lǐng)域,特別適合在開關(guān)模式電源 (SMPS) 以及直流/直流轉(zhuǎn)換器中發(fā)揮作用。其650V的耐壓能力使其能處理高電壓電路中的轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)任務(wù),有效管理功率開關(guān)和能量傳輸。

2. **家用電器和工業(yè)控制**  
  該MOSFET適合在家用電器(如冰箱、空調(diào)、洗衣機等)和工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中使用,尤其是在電機驅(qū)動、逆變器模塊等需要高耐壓、可靠性的場合。

3. **照明系統(tǒng)**  
  K2044LS-VB 也可用于高壓LED驅(qū)動電路。它能夠穩(wěn)定地處理高電壓輸入,提供高效的開關(guān)性能,因此適用于大功率LED照明驅(qū)動模塊中。

4. **太陽能逆變器和電動工具**  
  由于其高電壓承受能力和較低的漏極電流,K2044LS-VB 適合應(yīng)用于太陽能逆變器的DC-AC轉(zhuǎn)換模塊中,能夠確保高壓電能的高效轉(zhuǎn)換。此外,它還可以用于電動工具中的開關(guān)電源電路,提供穩(wěn)定的功率控制。

K2044LS-VB 作為一種高壓、低電流的MOSFET,廣泛適用于這些領(lǐng)域中的不同模塊,滿足了對高電壓穩(wěn)定性和可靠性的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    507瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    428瀏覽量