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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2117-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2117-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡介:**

K2117-VB 是一款采用 TO220F 封裝的 N 溝道功率 MOSFET,專為高壓應(yīng)用而設(shè)計。其漏源電壓 (VDS) 高達(dá) 650V,柵源電壓 (VGS) 可承受 ±30V,確保其在多種電源電壓條件下的可靠性和穩(wěn)定性。該 MOSFET 的啟用電壓 (Vth) 為 3.5V,具有適中的開啟特性。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 680mΩ@VGS=10V,最大連續(xù)漏極電流為 12A。K2117-VB 采用平面技術(shù)(Plannar),具有良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)特性,適合用于多種高效電源和開關(guān)控制應(yīng)用。

**二、詳細(xì)參數(shù)說明:**

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 12A
- **技術(shù)類型**: 平面技術(shù) (Plannar)
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ 150°C
- **最大功耗**: 40W(在適當(dāng)?shù)纳釛l件下)

**三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**: K2117-VB 廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中,能夠在高電壓和高效率的條件下穩(wěn)定工作,適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器,提升電源系統(tǒng)的能效。

2. **電機控制系統(tǒng)**: 該 MOSFET 適用于電動機驅(qū)動和控制電路,能夠有效控制電機的啟動和運行,確保在高電壓和高負(fù)載情況下的穩(wěn)定性能。

3. **逆變器**: 在太陽能逆變器和其他逆變器應(yīng)用中,K2117-VB 可用作關(guān)鍵開關(guān)元件,負(fù)責(zé)將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,確保能量轉(zhuǎn)換的高效性和可靠性。

4. **LED 驅(qū)動電路**: 此型號 MOSFET 也適合于 LED 驅(qū)動器,能夠在不同負(fù)載條件下穩(wěn)定驅(qū)動 LED,提供高亮度和低功耗的照明解決方案。

綜上所述,K2117-VB 的高電壓耐受能力、適中的導(dǎo)通電阻以及可靠的熱性能,使其成為多種高效電源管理和控制應(yīng)用中的理想選擇。

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