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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2118-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2118-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:K2118-VB
K2118-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,專為中高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源極電壓(VDS)達(dá)到650V,適合多種電源管理與功率控制場合。該器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為10V時(shí)為1100mΩ,具有較好的導(dǎo)電性能和功耗控制,電流能力高達(dá)7A。K2118-VB采用了Plannar技術(shù),能夠提供可靠的電氣性能與熱管理,適合在各種工業(yè)和電力應(yīng)用中使用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓(VDS)**: 650V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **開關(guān)電源**  
  K2118-VB廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中,其650V的高電壓能力和適中的電流承載能力使其能夠高效地處理電源的轉(zhuǎn)換與管理,提高整體系統(tǒng)的效率和可靠性。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**  
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,K2118-VB可用作高效的功率開關(guān),適用于電動(dòng)機(jī)控制電路。其7A的漏極電流能力使其能夠滿足多種電機(jī)負(fù)載的需求,提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)效果。

3. **電力電子轉(zhuǎn)換器**  
  該MOSFET適合于電力電子轉(zhuǎn)換器,如逆變器和直流-直流轉(zhuǎn)換器,其較低的導(dǎo)通電阻能有效降低開關(guān)損耗,提高電源的轉(zhuǎn)換效率。

4. **可再生能源系統(tǒng)**  
  K2118-VB在可再生能源系統(tǒng)(例如太陽能逆變器)中也表現(xiàn)良好,能夠高效地處理從光伏組件輸入的電能,支持高電壓和高電流的操作。

綜上所述,K2118-VB在中高電壓和中等電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適合于多種電源管理、電機(jī)控制和可再生能源應(yīng)用,為用戶提供高效、可靠的解決方案。

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