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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2185-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2185-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2185-VB產(chǎn)品簡介

K2185-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用而設(shè)計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為650V,使其能夠滿足嚴(yán)苛的電壓條件,廣泛應(yīng)用于高壓電源和功率轉(zhuǎn)換設(shè)備。其閾值電壓(Vth)為3.5V,適合低電壓驅(qū)動場合。K2185-VB采用平面技術(shù)(Plannar),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ@VGS=10V,具有良好的導(dǎo)通性能。最大漏極電流(ID)為7A,確保其在高負載條件下的穩(wěn)定性,適用于各種工業(yè)和電力電子領(lǐng)域。

### 二、K2185-VB詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **最大漏源電壓(VDS)**: 650V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V  
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:  
 - 1100mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**: 7A  
- **技術(shù)**: 平面(Plannar)  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電源供應(yīng)與轉(zhuǎn)換**  
  K2185-VB廣泛應(yīng)用于高壓電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠在高電壓條件下實現(xiàn)有效的電源管理。其高耐壓能力(650V)使其適用于工業(yè)電源供應(yīng)和轉(zhuǎn)換設(shè)備,確保電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

2. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  在開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中,K2185-VB作為開關(guān)元件能夠高效地管理電能轉(zhuǎn)換,支持較高功率和電流的開關(guān)操作。這款MOSFET在提高效率和降低熱損耗方面表現(xiàn)突出,適合用于計算機電源和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。

3. **電機驅(qū)動與控制**  
  K2185-VB在電機驅(qū)動和控制系統(tǒng)中也有重要應(yīng)用,能夠作為驅(qū)動電路中的開關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電機、家電和機器人等設(shè)備。其高漏極電流能力(7A)確保了電機的高效運行,適合于變頻器和伺服驅(qū)動系統(tǒng)。

通過這些具體的應(yīng)用領(lǐng)域示例,K2185-VB為工程師提供了高效、可靠的解決方案,以滿足高電壓和中等電流的電源管理需求。

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