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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2188-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2188-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2188-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K2188-VB 是一款高性能 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該器件的最大漏源極電壓(VDS)為650V,能夠在高電壓環(huán)境下保持卓越的穩(wěn)定性和可靠性。K2188-VB 的柵源極電壓(VGS)范圍為±30V,使其能夠適應(yīng)多種工作條件。其開啟電壓(Vth)為3.5V,確保在較低的柵極電壓下即可導(dǎo)通。此外,在 VGS 為10V 時,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅為830mΩ,這意味著在操作過程中具有良好的電流傳導(dǎo)能力。該 MOSFET 最大漏極電流(ID)為10A,適合各種高功率應(yīng)用,能夠有效提升設(shè)備的能效和性能。

### 二、K2188-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO220F
- **配置**:單通道 N 型 MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **開啟電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V 時:830mΩ
- **漏極電流(ID)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **最大功耗**:可達(dá) 30W(典型)
- **輸入電容(Ciss)**:約1100pF(典型)
- **封裝引腳**:
 - 引腳1:源極(Source)
 - 引腳2:漏極(Drain)
 - 引腳3:柵極(Gate)

### 三、K2188-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **高壓電源管理**:K2188-VB 非常適合用于高壓電源管理系統(tǒng),例如不間斷電源(UPS)和電力轉(zhuǎn)換器。這些應(yīng)用需要高壓組件能夠穩(wěn)定工作,以確保電源的可靠性和安全性。

2. **電機(jī)控制**:在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中,K2188-VB 可以作為開關(guān)元件用于高功率電機(jī)控制,適用于空調(diào)、泵和風(fēng)扇等設(shè)備,確保電機(jī)的有效運(yùn)行和節(jié)能。

3. **LED驅(qū)動器**:在大功率LED照明系統(tǒng)中,K2188-VB 可用于驅(qū)動LED燈條或高亮度燈泡,通過穩(wěn)定的電流控制實現(xiàn)高效能和長壽命的照明解決方案。

4. **電動汽車充電裝置**:K2188-VB 適用于電動汽車充電設(shè)備,能夠處理高電壓和大電流,從而保證電池充電過程的安全和高效,適合家庭和公共充電站的應(yīng)用。

綜上所述,K2188-VB 的高壓和高功率特性使其成為多個領(lǐng)域和模塊中的理想選擇,滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對性能和可靠性的需求。

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