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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2237-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2237-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2237-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K2237-VB 是一款高性能 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,設(shè)計用于高電壓應(yīng)用和開關(guān)電源。該器件具有650V的最大漏源極電壓(VDS),使其能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行,確保設(shè)備的安全和可靠性。其柵源極電壓(VGS)為±30V,適應(yīng)多種工作條件。開啟電壓(Vth)為3.5V,確保在較低的柵極電壓下也能有效導(dǎo)通。此外,K2237-VB 在 VGS 為10V 時,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅為680mΩ,這意味著其具有優(yōu)良的電流傳導(dǎo)能力,降低了在工作過程中的能量損耗。最大漏極電流(ID)為12A,適合高功率應(yīng)用,能有效提升設(shè)備的效率和性能。

### 二、K2237-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO220F
- **配置**:單通道 N 型 MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **開啟電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V 時:680mΩ
- **漏極電流(ID)**:12A
- **技術(shù)**:Plannar
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **最大功耗**:可達 30W(典型)
- **輸入電容(Ciss)**:約1100pF(典型)
- **封裝引腳**:
 - 引腳1:源極(Source)
 - 引腳2:漏極(Drain)
 - 引腳3:柵極(Gate)

### 三、K2237-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:K2237-VB 非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)和電源適配器,這些設(shè)備需要處理高電壓和高電流的操作,以實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,確保電源的穩(wěn)定性。

2. **工業(yè)電機控制**:在電動機驅(qū)動應(yīng)用中,K2237-VB 可以作為高效的開關(guān)元件,控制電機的啟停和調(diào)速,適用于工業(yè)設(shè)備、泵和風(fēng)扇等高功率設(shè)備,以提高系統(tǒng)的能效和響應(yīng)速度。

3. **高壓LED驅(qū)動**:K2237-VB 適合用于高功率LED照明系統(tǒng),能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作,驅(qū)動大功率LED燈條和照明燈具,確保其高亮度和長壽命。

4. **電動車充電器**:在電動車充電解決方案中,K2237-VB 可用于高電壓和大電流的充電設(shè)備,確保電池充電過程的高效與安全,適合于家庭和公共充電站的應(yīng)用。

綜上所述,K2237-VB 的高電壓和高功率特性使其成為多個領(lǐng)域和模塊的理想選擇,滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對性能、效率和可靠性的需求。

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