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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2422-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2422-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡介:**

K2424-VB 是一款高電壓 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為要求高電壓和高效率的應(yīng)用而設(shè)計。該器件可承受高達 550V 的漏源電壓 (VDS),使其適合在各種高壓電源和電氣系統(tǒng)中使用。柵源電壓 (VGS) 為 ±30V,開啟電壓 (Vth) 為 3V,確保其在標準驅(qū)動條件下的穩(wěn)定性。導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 時為 260mΩ,最大漏極電流 (ID) 達到 18A。這款 MOSFET 采用了 Plannar 技術(shù),具有出色的熱性能和低開關(guān)損耗,廣泛應(yīng)用于各種高功率電氣設(shè)備。

**二、詳細參數(shù)說明:**

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 550V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 260mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)類型**: Plannar
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ 150°C
- **最大功耗**: 35W(在適當?shù)纳釛l件下)

**三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源管理**: K2424-VB 適用于各種電源管理模塊,如 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠有效地提供穩(wěn)定的電壓和電流輸出。

2. **逆變器**: 在太陽能逆變器和風(fēng)能逆變器等可再生能源系統(tǒng)中,K2424-VB 可作為高壓開關(guān),幫助轉(zhuǎn)換和管理電能,提高系統(tǒng)效率。

3. **工業(yè)控制**: 該 MOSFET 在工業(yè)自動化設(shè)備中用于高壓開關(guān)電路,有助于控制大型電機和機械系統(tǒng)的啟動與停止。

4. **電機驅(qū)動**: K2424-VB 可用于電動機驅(qū)動系統(tǒng),能夠在高電壓和大電流的條件下,提供高效的電流控制和能量轉(zhuǎn)換。

5. **焊接設(shè)備**: 在高頻感應(yīng)焊接和電弧焊接設(shè)備中,K2424-VB 可作為功率開關(guān),確保設(shè)備在高電壓環(huán)境下安全可靠地運行。

K2424-VB 憑借其優(yōu)越的性能和廣泛的應(yīng)用前景,成為高電壓應(yīng)用中的理想選擇,能夠滿足多種電氣設(shè)備的需求。

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