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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2545-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2545-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2545-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K2545-VB 是一款高壓單通道 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓大功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其漏源極電壓(VDS)高達(dá) 650V,能夠處理高電壓工況,確保在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定性。柵源極電壓(VGS)為 ±30V,開啟電壓(Vth)為 3.5V,適用于不同的柵極驅(qū)動(dòng)條件。該器件在 VGS 為 10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ,具有良好的效率表現(xiàn),最大漏極電流(ID)為 7A,滿足大電流應(yīng)用的需求。其采用平面型(Plannar)技術(shù),廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制以及其他高壓開關(guān)電路中。

### 二、K2545-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO220F
- **配置**:單通道 N 型 MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **開啟電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V 時(shí):1100mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面型(Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **最大功耗**:約 50W(典型)
- **輸入電容(Ciss)**:約 800pF(典型)
- **封裝引腳**:
 - 引腳1:源極(Source)
 - 引腳2:漏極(Drain)
 - 引腳3:柵極(Gate)

### 三、K2545-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換**:K2545-VB 在開關(guān)電源(SMPS)和AC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色,尤其適合需要處理高壓的電源電路。該器件能夠有效地在高壓條件下切換,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源設(shè)備和大型家用電器中。

2. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:由于其高電壓和中等電流能力,K2545-VB 適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中。在這些應(yīng)用中,該 MOSFET 可以控制和管理高電壓設(shè)備的功率傳輸,確保穩(wěn)定的操作和高效的功率轉(zhuǎn)換。

3. **照明系統(tǒng)**:該器件同樣適合用于高壓LED照明系統(tǒng)中,尤其是在戶外和商業(yè)照明中。K2545-VB 能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換,確保在長時(shí)間運(yùn)行時(shí)減少能量損耗。

4. **逆變器和不間斷電源(UPS)**:K2545-VB 也可應(yīng)用于逆變器和UPS系統(tǒng)中,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。在這種高壓轉(zhuǎn)換場合下,K2545-VB 的高壓耐受能力確保了設(shè)備的可靠性和效率。

總之,K2545-VB 是一款高壓耐受、高效的 MOSFET,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、商業(yè)和家庭電子設(shè)備中,尤其適合那些要求高電壓操作的應(yīng)用場景。

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