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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2617ALS-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2617ALS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS VDS
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2617ALS-VB產(chǎn)品簡介

K2617ALS-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,封裝為TO220F,專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)達(dá)到650V,使其適合多種高電壓環(huán)境下的電力轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用。該MOSFET的柵閾值電壓(Vth)為3.5V,能在較低的電壓下實(shí)現(xiàn)開關(guān)功能。K2617ALS-VB采用Plannar技術(shù),具備較高的導(dǎo)通電流能力(ID高達(dá)7A),確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性能。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ@VGS=10V,盡管相對較高,但在650V的高壓環(huán)境中,K2617ALS-VB依然能夠有效地工作,滿足高效能轉(zhuǎn)換的需求。

### 二、K2617ALS-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **最大漏源電壓(VDS)**: 650V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V  
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**: 7A  
- **技術(shù)**: Plannar  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **開關(guān)電源**  
  K2617ALS-VB常用于開關(guān)電源(SMPS)中,適合用于高電壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的高耐壓特性和相對較高的導(dǎo)通電流能力使其在電源轉(zhuǎn)換過程中能夠有效控制電流流動(dòng),降低能量損失,提高系統(tǒng)效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,K2617ALS-VB可以作為功率開關(guān),控制電機(jī)的啟停和調(diào)速。其高壓特性確保其在工業(yè)環(huán)境下能夠穩(wěn)定工作,為電機(jī)提供可靠的控制解決方案。

3. **逆變器**  
  該MOSFET適用于逆變器設(shè)計(jì),特別是在可再生能源系統(tǒng)(如太陽能逆變器)中,其650V的最大電壓承載能力非常適合于連接高壓直流電源到交流負(fù)載的應(yīng)用場景,確保高效的能量轉(zhuǎn)換。

4. **高壓電源模塊**  
  在高壓電源模塊中,K2617ALS-VB能夠有效管理和控制高電壓下的電力流動(dòng)。其低導(dǎo)通電阻特性可以減少功率損耗,使其成為高壓電源應(yīng)用的理想選擇。

綜上所述,K2617ALS-VB憑借其高耐壓、高導(dǎo)電能力以及適應(yīng)多種高壓應(yīng)用的設(shè)計(jì),成為電力電子領(lǐng)域中重要的組件,適合于各類高壓和高效能的電源管理系統(tǒng)。

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