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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2617LS-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2617LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2617LS-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K2617LS-VB 是一款高電壓、低導(dǎo)通電阻的單通道 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝。該器件具有高達(dá) 650V 的漏源極電壓(VDS),適用于高壓電源和工業(yè)應(yīng)用。其柵源極電壓(VGS)為 ±30V,開啟電壓(Vth)為 3.5V,能夠確??焖俣煽康拈_關(guān)特性。在 VGS 為 10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ,最大漏極電流(ID)為 7A。K2617LS-VB 采用平面工藝(Plannar)技術(shù),確保了器件的高效率和耐久性,特別適合于高溫和高電流應(yīng)用。

### 二、K2617LS-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO220F
- **配置**:單通道 N 型 MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **開啟電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V 時(shí):1100mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面技術(shù)(Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **輸入電容(Ciss)**:約 1200pF(典型)
- **最大功耗**:約 2.5W(典型)
- **封裝引腳**:
 - 引腳1:源極(Source)
 - 引腳2:漏極(Drain)
 - 引腳3:柵極(Gate)

### 三、K2617LS-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源**:K2617LS-VB 特別適合用于高壓電源管理系統(tǒng),包括 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊。其高漏源極電壓能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少能量損失,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

2. **電機(jī)控制**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制應(yīng)用中,K2617LS-VB 可以作為開關(guān)元件使用,以控制高壓電機(jī)的運(yùn)行。其優(yōu)越的電流處理能力使其能夠支持無刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)等多種電機(jī)類型。

3. **焊接設(shè)備**:該 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于焊接設(shè)備中,包括點(diǎn)焊和弧焊系統(tǒng)。由于其高電流承載能力和高電壓耐受能力,K2617LS-VB 能夠在極端條件下提供穩(wěn)定的開關(guān)功能,確保焊接過程的高質(zhì)量和一致性。

4. **自動(dòng)化設(shè)備**:在自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,K2617LS-VB 可用于開關(guān)控制和功率放大。這使其在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人和其他控制系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用,確保設(shè)備的快速反應(yīng)和可靠運(yùn)行。

綜上所述,K2617LS-VB 是一款高效、可靠的 N 型 MOSFET,能夠在各種高壓和高功率應(yīng)用中提供出色的性能和穩(wěn)定性。

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