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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K2625LS-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2625LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2625LS-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K2625LS-VB 是一款高電壓單通道 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝設計,具有良好的熱性能和電氣特性。該器件能夠承受高達 650V 的漏源極電壓(VDS),適用于多種高壓電源和工業(yè)應用。其柵源極電壓(VGS)為 ±30V,開啟電壓(Vth)為 3.5V,確??焖匍_關(guān)操作。在 VGS 為 10V 時,K2625LS-VB 的導通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ,最大漏極電流(ID)為 7A。此 MOSFET 采用平面工藝(Plannar)技術(shù),確保了其高效能和可靠性,是高溫和高電流環(huán)境中的理想選擇。

### 二、K2625LS-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO220F
- **配置**:單通道 N 型 MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **開啟電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V 時:1100mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面技術(shù)(Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **輸入電容(Ciss)**:約 1200pF(典型值)
- **最大功耗**:約 2.5W(典型值)
- **封裝引腳**:
 - 引腳1:源極(Source)
 - 引腳2:漏極(Drain)
 - 引腳3:柵極(Gate)

### 三、K2625LS-VB 應用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:K2625LS-VB 在高壓電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,特別是在 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊中。其高耐壓能力和低導通電阻能夠有效提升電源的轉(zhuǎn)換效率,降低能量損耗,并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

2. **電動機驅(qū)動器**:該 MOSFET 在電動機控制應用中也非常適合,尤其是在無刷直流電機(BLDC)和步進電機的驅(qū)動系統(tǒng)中。憑借其高漏極電流處理能力,K2625LS-VB 可確保電動機在各種負載條件下平穩(wěn)運行。

3. **焊接與電源管理設備**:K2625LS-VB 常用于焊接設備,如點焊機和電弧焊機。這款 MOSFET 的高電流承載能力和良好的熱性能使其能夠在高功率應用中可靠工作,確保焊接過程的高質(zhì)量與一致性。

4. **工業(yè)自動化系統(tǒng)**:在工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中,K2625LS-VB 可用作開關(guān)控制元件。這使其在機器人、自動化裝配線和其他控制系統(tǒng)中起到關(guān)鍵作用,能夠快速響應控制信號,保證設備的高效性和可靠性。

綜上所述,K2625LS-VB 是一款高效、可靠的 N 型 MOSFET,適合用于多種高壓和高功率應用,能夠滿足嚴苛工作環(huán)境的要求。

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