--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
K2625-VB 是一款高電壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為需要高漏極-源極電壓的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏極-源極電壓 (VDS) 可達(dá) 650V,柵極-源極電壓 (VGS) 為 ±30V,具備出色的電氣性能和熱穩(wěn)定性。閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,在 VGS = 10V 時(shí)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1100mΩ,額定漏極電流 (ID) 為 7A。K2625-VB 的平面技術(shù) (Plannar) 使其在高電壓和高溫環(huán)境下運(yùn)行時(shí)依然穩(wěn)定可靠,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。
### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面技術(shù) (Plannar)
- **工作溫度范圍**:一般為 -55°C 至 150°C,具體范圍可參考產(chǎn)品手冊。
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:K2625-VB 適用于高壓開關(guān)電源和電源適配器,能夠在高電壓環(huán)境下高效轉(zhuǎn)換電能,為各種設(shè)備提供穩(wěn)定電源。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中,該 MOSFET 可用于高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,提供平穩(wěn)的啟停和調(diào)速功能,以實(shí)現(xiàn)高效能的電機(jī)控制。
3. **工業(yè)自動(dòng)化**:K2625-VB 適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的各種模塊,如電磁閥和繼電器的驅(qū)動(dòng),確保設(shè)備的高效和安全運(yùn)行。
4. **可再生能源系統(tǒng)**:在光伏逆變器和風(fēng)能發(fā)電設(shè)備中,該 MOSFET 可用于高電壓的電能轉(zhuǎn)換,有效提升可再生能源系統(tǒng)的整體效率。
5. **高壓家用電器**:K2625-VB 可廣泛應(yīng)用于高壓家電產(chǎn)品,如空調(diào)和電熱水器的電源開關(guān)和控制電路,確保設(shè)備在高電壓下安全可靠運(yùn)行。
憑借其高電壓特性和低導(dǎo)通電阻,K2625-VB 成為開關(guān)電源、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)控制和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域中重要的電源管理組件,提供穩(wěn)定的電力解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛