--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
K2638-01MR-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為需要650V高電壓和中等電流的應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源極電壓(VDS)可達(dá)650V,最大漏極電流(ID)為12A,適用于高電壓電源管理、工業(yè)控制和電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域。K2638-01MR-VB采用平面(Plannar)技術(shù),具有680mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),能夠在高負(fù)載條件下保持良好的導(dǎo)電性能和熱穩(wěn)定性。
### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **型號**: K2638-01MR-VB
- **封裝類型**: TO220F
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 680mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 12A
- **技術(shù)類型**: Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:
K2638-01MR-VB適用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源系統(tǒng)。其650V的耐壓能力確保可以有效地處理電源輸入,提供穩(wěn)定的輸出電壓,滿足各種電源需求,尤其在工業(yè)和商業(yè)設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。
2. **工業(yè)設(shè)備控制**:
該MOSFET可以用作電機(jī)控制、伺服系統(tǒng)和其他高電壓應(yīng)用中的開關(guān)元件。在工業(yè)自動化中,它的高電流處理能力和良好的熱管理性能使其成為關(guān)鍵組件,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和穩(wěn)定性。
3. **照明系統(tǒng)**:
K2638-01MR-VB適合用于高壓照明系統(tǒng),例如街道照明和高壓氣體放電燈(HID),能夠在光源的控制電路中提供可靠的開關(guān)性能,確保長壽命和高效率的光輸出。
4. **電力電子變換器**:
在電力電子變換器中,如逆變器和整流器,該MOSFET可以有效處理高電壓和高頻率信號,廣泛應(yīng)用于可再生能源系統(tǒng)(如太陽能和風(fēng)能)及電動汽車的電源管理。
K2638-01MR-VB憑借其高壓能力和適應(yīng)性,成為高電壓電源管理、工業(yè)控制和照明系統(tǒng)中的重要開關(guān)元件,適合多種應(yīng)用場景,具備良好的市場前景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12