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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2640-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2640-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2640-VB產(chǎn)品簡介

K2640-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝設(shè)計(jì),專為高電壓應(yīng)用而優(yōu)化。其最大漏源電壓(VDS)為650V,使其能夠在高壓環(huán)境中穩(wěn)定工作。該器件的柵閾值電壓(Vth)為3.5V,適合使用較低的柵電壓啟動(dòng),具備快速開關(guān)響應(yīng)。最大漏極電流(ID)為10A,能夠處理中等負(fù)載,同時(shí)其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為830mΩ@VGS=10V,確保在高效能量轉(zhuǎn)換中盡量減少能量損失。K2640-VB采用Plannar技術(shù),具有優(yōu)越的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合多種電力電子應(yīng)用。

### 二、K2640-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **最大漏源電壓(VDS)**: 650V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V  
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**: 10A  
- **技術(shù)**: Plannar  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電力轉(zhuǎn)換器**  
  K2640-VB廣泛用于高壓電力轉(zhuǎn)換器,尤其是在DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其650V的額定電壓使其能夠有效處理來自電源的高電壓,并保持高轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**  
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,K2640-VB可以作為功率開關(guān),用于電動(dòng)機(jī)的控制和驅(qū)動(dòng)。其良好的導(dǎo)通性能和快速開關(guān)能力確保電機(jī)能夠高效、穩(wěn)定地運(yùn)行,適合用于變頻器和伺服驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用。

3. **UPS(不間斷電源)系統(tǒng)**  
  K2640-VB在不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中扮演重要角色,用于控制電源的轉(zhuǎn)換和分配。高耐壓特性確保在電源波動(dòng)時(shí)提供穩(wěn)定的輸出,保障設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。

4. **太陽能逆變器**  
  此型號MOSFET在太陽能逆變器中也有廣泛應(yīng)用,負(fù)責(zé)將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高壓能力和良好的導(dǎo)通性能,確保在高能量流動(dòng)下保持高效率。

綜上所述,K2640-VB憑借其650V的高電壓能力和優(yōu)秀的開關(guān)特性,在電力電子領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。

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