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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2645-01MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2645-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:
K2645-01MR-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏極-源極電壓 (VDS) 可達(dá)到 650V,柵極-源極電壓 (VGS) 為 ±30V,提供強(qiáng)大的電氣性能。閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,在 VGS = 10V 時,其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1100mΩ,額定漏極電流 (ID) 為 7A。K2645-01MR-VB 的平面技術(shù) (Plannar) 使其在高電壓和高溫環(huán)境中具備優(yōu)異的穩(wěn)定性與可靠性,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源和高壓控制系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:單 N 溝道  
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:7A  
- **技術(shù)**:平面技術(shù) (Plannar)  
- **工作溫度范圍**:一般為 -55°C 至 150°C,具體范圍可參考產(chǎn)品手冊。

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **高壓開關(guān)電源**:K2645-01MR-VB 在高壓開關(guān)電源設(shè)計中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠處理高達(dá) 650V 的電壓,適用于各類電源適配器和充電器。

2. **電機(jī)驅(qū)動控制**:該 MOSFET 可用于電動機(jī)驅(qū)動電路,特別是在高電壓的工業(yè)應(yīng)用中,為電動機(jī)提供穩(wěn)定的供電,確保高效的啟停和調(diào)速控制。

3. **電力轉(zhuǎn)換裝置**:在光伏逆變器和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)中,K2645-01MR-VB 被廣泛應(yīng)用于高電壓的電力轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié),提升可再生能源的利用效率。

4. **工業(yè)自動化系統(tǒng)**:此型號適合用于工業(yè)控制系統(tǒng),如傳感器驅(qū)動、電磁閥和繼電器等,確保設(shè)備在高電壓環(huán)境下的安全可靠運(yùn)行。

5. **家用電器**:在高壓家用電器如空調(diào)、洗衣機(jī)和熱水器等中,K2645-01MR-VB 可作為主要開關(guān)元件,確保電器的高效與安全。

憑借其高電壓特性和低導(dǎo)通電阻,K2645-01MR-VB 在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色,是電源管理和控制系統(tǒng)的重要組件。

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