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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K26622-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K26622-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K26622-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K26622-VB 是一款高電壓的 **單N溝道** MOSFET,采用 **TO220F** 封裝,設(shè)計(jì)用于高電壓電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件的 **漏源電壓 (VDS)** 高達(dá) **650V**,使其非常適合在高壓環(huán)境中使用。其 **門源電壓 (VGS)** 可達(dá)到 ±30V,提供了廣泛的驅(qū)動(dòng)選項(xiàng)。K26622-VB 的 **閾值電壓 (Vth)** 為 3.5V,確保在合理的電壓下能夠順利導(dǎo)通。同時(shí),該器件的 **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** 為 1100mΩ @ VGS=10V,盡管相較于低壓 MOSFET 略高,但在650V的高電壓下,仍能保持良好的性能和效率。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:K26622-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **門源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:Plannar,適合高電壓應(yīng)用
- **工作溫度范圍**:適用于廣泛的工作環(huán)境

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

K26622-VB MOSFET 適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,以下是一些具體的應(yīng)用示例:

1. **電力轉(zhuǎn)換器**:K26622-VB 在高壓電源轉(zhuǎn)換器中能夠有效控制電流,適用于 AC-DC 變換器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,以提高能量轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:由于其高電壓和中等電流能力,該 MOSFET 可用于電機(jī)控制器中,支持高壓電機(jī)的驅(qū)動(dòng)與控制。

3. **高壓照明設(shè)備**:在高壓照明應(yīng)用中,K26622-VB 可作為開(kāi)關(guān)器件,確保高效穩(wěn)定的電源供應(yīng),適合工業(yè)和商業(yè)照明。

4. **太陽(yáng)能逆變器**:在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于逆變器電路,轉(zhuǎn)換直流電為交流電,供給電網(wǎng)或負(fù)載。

5. **開(kāi)關(guān)電源**:在各種開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中,K26622-VB 能夠提供穩(wěn)定的電源開(kāi)關(guān)功能,提高電源的整體性能與效率。

K26622-VB 是一款專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)的 MOSFET,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高壓和高效能的雙重需求,是各種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的理想選擇。

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