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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2662T-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2662T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

K2662T-VB是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該MOSFET的漏源極電壓(VDS)最高可達(dá)650V,最大漏極電流(ID)為7A,適用于各種電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高壓電子設(shè)備。K2662T-VB采用平面(Plannar)技術(shù),具有1100mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在高負(fù)載條件下能夠提供可靠的性能,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和良好的熱穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**: K2662T-VB
- **封裝類型**: TO220F
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)類型**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:
  K2662T-VB非常適合用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源系統(tǒng)。其650V的耐壓能力確保能夠高效地處理電源輸入,穩(wěn)定輸出電壓,適合在電力電子系統(tǒng)中使用,尤其在電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。

2. **電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)**:
  此MOSFET可以用于工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),作為開關(guān)元件,K2662T-VB能夠有效控制高電壓和高電流,適合用于伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)、步進(jìn)電機(jī)控制等,確保系統(tǒng)的高效性和可靠性。

3. **照明控制系統(tǒng)**:
  K2662T-VB適合用于高壓照明控制電路,如街道照明和商業(yè)照明系統(tǒng)。其高電壓和高電流處理能力使其能夠在照明系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,確保光源的長(zhǎng)壽命和高效運(yùn)行。

4. **電力電子設(shè)備**:
  在電力電子應(yīng)用中,如逆變器、整流器和UPS系統(tǒng),該MOSFET可以高效處理高電壓信號(hào)。K2662T-VB在可再生能源(如太陽(yáng)能和風(fēng)能)和電動(dòng)汽車的電源管理中也發(fā)揮著重要作用。

K2662T-VB憑借其高壓和中等電流特性,成為電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和照明控制領(lǐng)域中重要的開關(guān)元件,適合多種高電壓應(yīng)用。### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

K2662T-VB是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該MOSFET的漏源極電壓(VDS)最高可達(dá)650V,最大漏極電流(ID)為7A,適用于各種電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高壓電子設(shè)備。K2662T-VB采用平面(Plannar)技術(shù),具有1100mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在高負(fù)載條件下能夠提供可靠的性能,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和良好的熱穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**: K2662T-VB
- **封裝類型**: TO220F
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)類型**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:
  K2662T-VB非常適合用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源系統(tǒng)。其650V的耐壓能力確保能夠高效地處理電源輸入,穩(wěn)定輸出電壓,適合在電力電子系統(tǒng)中使用,尤其在電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。

2. **電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)**:
  此MOSFET可以用于工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),作為開關(guān)元件,K2662T-VB能夠有效控制高電壓和高電流,適合用于伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)、步進(jìn)電機(jī)控制等,確保系統(tǒng)的高效性和可靠性。

3. **照明控制系統(tǒng)**:
  K2662T-VB適合用于高壓照明控制電路,如街道照明和商業(yè)照明系統(tǒng)。其高電壓和高電流處理能力使其能夠在照明系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,確保光源的長(zhǎng)壽命和高效運(yùn)行。

4. **電力電子設(shè)備**:
  在電力電子應(yīng)用中,如逆變器、整流器和UPS系統(tǒng),該MOSFET可以高效處理高電壓信號(hào)。K2662T-VB在可再生能源(如太陽(yáng)能和風(fēng)能)和電動(dòng)汽車的電源管理中也發(fā)揮著重要作用。

K2662T-VB憑借其高壓和中等電流特性,成為電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和照明控制領(lǐng)域中重要的開關(guān)元件,適合多種高電壓應(yīng)用。

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