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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2713-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2713-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2713-VB產(chǎn)品簡介
K2713-VB是一款高電壓N溝道功率MOSFET,采用TO-220F封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。其漏極-源極電壓(VDS)可達650V,使其在各種高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色。K2713-VB的柵極閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在多種工作條件下的穩(wěn)定開關(guān)性能。該器件具備較高的導通電阻(RDS(ON))為1100mΩ,適合需要相對較小電流(7A)和較低功耗的應(yīng)用。其平面技術(shù)結(jié)構(gòu)使得MOSFET在高壓工作時具備良好的可靠性和耐用性,非常適合在電力電子領(lǐng)域使用。

### 二、K2713-VB詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO-220F
- **極性配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**: 650V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 
 - 1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)類型**: 平面結(jié)構(gòu)(Plannar)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **熱阻**: 適中熱阻設(shè)計,適合高電壓應(yīng)用

### 三、適用領(lǐng)域和模塊
1. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  K2713-VB廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中,尤其是高壓供電系統(tǒng)。其650V的高漏極電壓允許其在主電源和輔助電源之間有效地開關(guān),減少開關(guān)損耗,從而提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **逆變器和電源轉(zhuǎn)換器**  
  該MOSFET適合用于太陽能逆變器及其他電源轉(zhuǎn)換器中,能承受高電壓的需求,在高壓直流到交流轉(zhuǎn)換中保持穩(wěn)定性。其低導通電阻有助于降低在轉(zhuǎn)換過程中的功耗。

3. **電機驅(qū)動應(yīng)用**  
  在一些高壓直流電機驅(qū)動應(yīng)用中,K2713-VB可以有效控制電機的啟停與調(diào)速,特別適用于工業(yè)自動化和家電產(chǎn)品中的高壓直流電機控制。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**  
  K2713-VB也適合用于電池管理系統(tǒng)中,尤其是在高電壓電池組的監(jiān)測與管理。其高電壓承受能力與可靠性保證了系統(tǒng)的安全與有效運行。

K2713-VB因其高電壓和較高電流能力,使其在多種高功率和高電壓的電子應(yīng)用中非常適合,提供了可靠和高效的性能表現(xiàn)。

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