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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2750-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2750-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

K2750-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等功率應(yīng)用設(shè)計。該器件的漏源極電壓(VDS)可達到 650V,適用于多種需要高電壓處理的場合。其柵源極電壓(VGS)可承受 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保了其良好的開關(guān)性能。在 10V 的柵極驅(qū)動下,K2750-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ,使其在高電壓應(yīng)用中依然能夠有效地控制導(dǎo)通損耗。該器件的最大漏極電流(ID)為 4A,能夠滿足一定功率需求的應(yīng)用,適合在要求高壓和可靠性的環(huán)境中使用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F  
- **溝道配置**:單 N 溝道  
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:4A  
- **技術(shù)類型**:平面技術(shù) (Plannar)  
- **功耗能力**:在合理的散熱條件下,能夠承受一定功率,具體值取決于散熱設(shè)計。  
- **工作溫度范圍**:-55°C 到 150°C  
- **熱阻**:在適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計下,能夠保持較低的熱阻,延長器件的使用壽命。  
- **開關(guān)頻率**:適合于中頻應(yīng)用,具有良好的開關(guān)性能。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **開關(guān)電源**:K2750-VB 非常適合于高電壓開關(guān)電源(SMPS)中,能夠有效處理電能轉(zhuǎn)換。其高壓特性確保了在高壓輸出下的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電力電子設(shè)備**:在各種電力電子設(shè)備中,如逆變器和變頻器,該器件能夠作為功率開關(guān),有效控制電能流動,特別是在高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)越。

3. **電動汽車(EV)**:在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,K2750-VB 可以用于高壓電池的切換和控制,確保安全性和高效性,滿足電動汽車對電源的嚴(yán)格要求。

4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:該 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化控制中,適合高電壓和高電流的負(fù)載開關(guān),提供穩(wěn)定可靠的控制性能。

5. **可再生能源系統(tǒng)**:在太陽能和風(fēng)能系統(tǒng)中,K2750-VB 可用于逆變器和功率管理模塊,幫助實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換,支持可再生能源的有效利用。

綜上所述,K2750-VB 憑借其出色的電氣特性和高壓處理能力,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電力電子設(shè)備、電動汽車、工業(yè)控制系統(tǒng)以及可再生能源等領(lǐng)域,為多種應(yīng)用提供了高效可靠的解決方案。

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