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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2777-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2777-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2777-VB 產(chǎn)品簡介

K2777-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為中等電流和高電壓應(yīng)用設(shè)計。該器件的漏源電壓 (VDS) 可達到 650V,能夠在嚴格的電壓條件下穩(wěn)定工作,適用于多種高電壓環(huán)境。K2777-VB 的柵源電壓 (VGS) 為 ±30V,閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,確保其在各種工作條件下快速導通。該 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 1100mΩ @ VGS=10V,使其在導通狀態(tài)下保持較低的功率損耗。此外,最大持續(xù)電流 (ID) 為 7A,采用平面技術(shù)(Plannar)制造,具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠滿足不同應(yīng)用的需求。

### K2777-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                  | 說明                     |
|---------------------|------------------------|
| 型號                  | K2777-VB               |
| 封裝                  | TO220F                 |
| 配置                  | 單個 N 溝道              |
| 漏源電壓 (VDS)       | 650V                   |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±30V                   |
| 閾值電壓 (Vth)       | 3.5V                   |
| 導通電阻 (RDS(ON))    | 1100mΩ @ VGS=10V      |
| 最大持續(xù)電流 (ID)    | 7A                     |
| 技術(shù)                  | 平面技術(shù)                |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓開關(guān)電源**:K2777-VB 廣泛應(yīng)用于高壓開關(guān)電源(SMPS),特別是在需要650V漏電壓的電源轉(zhuǎn)換模塊中,能夠有效提高電源轉(zhuǎn)換效率,降低導通損耗。

2. **電動汽車電力系統(tǒng)**:在電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)中,K2777-VB 可用于電機驅(qū)動和控制模塊,支持高電壓和中等電流的操作,確保電動汽車在加速和爬坡時的動力輸出。

3. **工業(yè)自動化設(shè)備**:該 MOSFET 也適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中,如電動機驅(qū)動和高壓設(shè)備控制,提供高效的功率開關(guān)解決方案,滿足各種工業(yè)應(yīng)用的自動化需求。

4. **逆變器和可再生能源系統(tǒng)**:在光伏和風能逆變器中,K2777-VB 能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,支持可再生能源系統(tǒng)的集成與管理,提高系統(tǒng)的整體性能。

憑借其優(yōu)越的電氣性能和高可靠性,K2777-VB 成為高電壓應(yīng)用中的理想選擇,適用于多種領(lǐng)域和模塊。

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