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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2793-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2793-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介:
K2793-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 650V,適合用于要求高電壓穩(wěn)定性的電力電子系統(tǒng)。該器件的柵源電壓(VGS)可達(dá)到 ±30V,確保其在多種電壓條件下的靈活應(yīng)用。開啟閾值電壓(Vth)為 3.5V,允許其在較低電壓下快速導(dǎo)通。K2793-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ @ VGS = 10V,最大漏極電流(ID)為 7A,提供穩(wěn)定的電流傳輸能力,廣泛應(yīng)用于電源管理和工業(yè)控制領(lǐng)域。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO220F  
- **配置**: 單 N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A  
- **技術(shù)**: 平面型(Plannar)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電力電子設(shè)備**:K2793-VB 非常適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,例如交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器。這種 MOSFET 能夠在高達(dá) 650V 的電壓下穩(wěn)定工作,為各種電力電子應(yīng)用提供可靠的解決方案。

2. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制模塊,能夠處理中等電流(最大 7A)并保持低導(dǎo)通損耗,確保設(shè)備在高負(fù)載下的穩(wěn)定性和效率。

3. **逆變器**:K2793-VB 也適合用于逆變器應(yīng)用,特別是在可再生能源領(lǐng)域,如太陽能逆變器,能夠有效地轉(zhuǎn)換和控制高壓直流電源,為家庭和工業(yè)提供清潔能源。

4. **照明控制**:該 MOSFET 可用于高壓照明控制系統(tǒng),例如 LED 照明和其他高壓照明設(shè)備,通過其高電壓和電流處理能力,能夠有效管理照明負(fù)載,確保照明系統(tǒng)的安全性和可靠性。

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