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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2872-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2872-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:K2872-VB MOSFET

K2872-VB 是一款采用TO220F封裝的單N溝道功率MOSFET,具有高耐壓能力和高效率設(shè)計(jì),適用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。其漏源電壓(VDS)最大值為650V,漏極電流(ID)為7A,具有3.5V的開啟閾值電壓(Vth)。該器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵極電壓為10V時(shí)為1100mΩ,適合用于高壓電源、轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效能量傳輸?shù)膽?yīng)用。K2872-VB 采用平面技術(shù)(Plannar),具備優(yōu)異的熱性能和可靠的電氣特性。

### 參數(shù)說明:

- **封裝**: TO220F  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **漏源電壓(VDS)**: 650V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V  
- **開啟閾值電壓(Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 1100mΩ@VGS=10V  
- **漏極電流(ID)**: 7A  
- **技術(shù)**: 平面工藝(Plannar Technology)  
- **最大耗散功率**: 60W(根據(jù)散熱條件)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **高壓開關(guān)電源**:  
  K2872-VB 由于其高耐壓和中等電流能力,適合用于高壓開關(guān)電源和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。這種器件在這些應(yīng)用中能夠提供穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換和良好的熱性能,有效減少能量損耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:  
  K2872-VB 在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中也能夠發(fā)揮作用,特別是那些需要處理高壓輸入和中等電流輸出的應(yīng)用。其較低的導(dǎo)通電阻和高耐壓能夠提高設(shè)備的工作效率和可靠性。

3. **家電和工業(yè)設(shè)備**:  
  該MOSFET非常適用于高壓家用電器和工業(yè)設(shè)備中的電源模塊,如空調(diào)、冰箱和其他需要穩(wěn)定電源控制的設(shè)備。K2872-VB 的平面工藝使其具備較好的熱性能,能夠滿足這些應(yīng)用的長(zhǎng)期可靠性要求。

4. **照明和LED驅(qū)動(dòng)器**:  
  在需要高效電力控制的照明系統(tǒng)中,K2872-VB 也能應(yīng)用如LED驅(qū)動(dòng)器和照明轉(zhuǎn)換器。其較高的工作電壓和良好的熱管理特性,使其適合長(zhǎng)期連續(xù)工作的場(chǎng)合。

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