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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2876-01MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2876-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

K2876-01MR-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有優(yōu)異的電氣特性和熱性能,適合高電壓和高功率的應(yīng)用。它的漏源極電壓(VDS)高達 650V,能夠滿足多個高壓電路的需求。該器件具有 30V 的柵源極電壓(VGS),3.5V 的閾值電壓(Vth),使其能夠在較低的驅(qū)動電壓下有效工作。導通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ @ VGS=10V,最大漏極電流(ID)為 7A,適合廣泛的工業(yè)應(yīng)用,包括電源轉(zhuǎn)換和電機控制等領(lǐng)域。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F  
- **溝道配置**:單 N 溝道  
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:7A  
- **技術(shù)類型**:平面技術(shù) (Plannar)  
- **最大功耗 (Pmax)**:受限于封裝和散熱能力,適合于高功率應(yīng)用。  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **開關(guān)速度**:適合中頻至高頻操作,能夠滿足大多數(shù)應(yīng)用的開關(guān)要求。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:K2876-01MR-VB 由于其高達 650V 的漏源電壓,使其成為開關(guān)電源和變頻器的理想選擇??捎糜诟鞣N AC/DC 轉(zhuǎn)換和 DC/DC 轉(zhuǎn)換電源中,確保高效電能轉(zhuǎn)換。

2. **電機控制**:在工業(yè)電機驅(qū)動應(yīng)用中,該 MOSFET 能夠有效控制電流,適用于直流電機和交流電機驅(qū)動系統(tǒng),以實現(xiàn)高效的速度和扭矩控制。

3. **LED 驅(qū)動**:在 LED 照明應(yīng)用中,K2876-01MR-VB 能夠提供高電流驅(qū)動,同時保持較低的導通電阻,適合高功率 LED 照明模塊,提升能源利用率。

4. **逆變器**:該器件可用于光伏逆變器中,能夠承受高電壓并在高頻下穩(wěn)定工作,確保太陽能系統(tǒng)的高效能量轉(zhuǎn)化和輸出。

5. **電池管理系統(tǒng)**:在電池充電和放電管理中,K2876-01MR-VB 可作為開關(guān)元件,確保電池的安全和高效使用,適用于電動汽車和儲能系統(tǒng)。

K2876-01MR-VB 憑借其高壓、高效能的特點,廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機控制、LED 驅(qū)動、逆變器和電池管理系統(tǒng)中,能夠有效提升系統(tǒng)性能和可靠性。

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