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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2972-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2972-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2972-VB 產(chǎn)品簡介

K2972-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓和高功率應(yīng)用設(shè)計。該器件的漏源電壓 (VDS) 可達到 650V,柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±30V,適合于要求高電壓和電流的應(yīng)用場合。閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,使其能夠在相對較低的柵電壓下啟動,有助于降低開關(guān)損耗。K2972-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 10V 時為 830mΩ,這一較低的導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗和熱量產(chǎn)生,從而提高設(shè)備的工作效率和可靠性。最大持續(xù)電流 (ID) 為 10A,結(jié)合其平面技術(shù) (Plannar),確保了該 MOSFET 在高溫和高壓條件下的穩(wěn)定性能,廣泛應(yīng)用于電源管理和電動機控制等領(lǐng)域。

### K2972-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                  | 說明                     |
|---------------------|------------------------|
| 型號                  | K2972-VB              |
| 封裝                  | TO220F                |
| 配置                  | 單個 N 溝道              |
| 漏源電壓 (VDS)       | 650V                   |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±30V                   |
| 閾值電壓 (Vth)       | 3.5V                   |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))    | 830mΩ @ VGS=10V        |
| 最大持續(xù)電流 (ID)    | 10A                    |
| 技術(shù)                  | Plannar                |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓開關(guān)電源**:K2972-VB 適用于高壓開關(guān)電源設(shè)計中,能夠承受高達 650V 的漏源電壓,配合其較低的導(dǎo)通電阻,確保高效的電力轉(zhuǎn)換,降低能耗,并提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

2. **電動機驅(qū)動**:該 MOSFET 可用于電動機控制系統(tǒng),特別是高壓電動機的驅(qū)動。其高電流處理能力使其適合于需要精確控制的電動機應(yīng)用,如工業(yè)自動化和機器人技術(shù)。

3. **功率逆變器**:在可再生能源應(yīng)用中,如太陽能逆變器,K2972-VB 能夠有效轉(zhuǎn)換和控制電能,確保在高電壓條件下的可靠運行,提高能源轉(zhuǎn)換的效率。

4. **充電器和電池管理系統(tǒng)**:K2972-VB 在電池充電和管理系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用,能夠高效控制電流和電壓,確保電池的安全充電和放電,同時延長其使用壽命。

綜上所述,K2972-VB 是一款在高壓和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色的 MOSFET,憑借其穩(wěn)定的性能和低功率損耗,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高可靠性的需求。

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