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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2996-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2996-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

K2996-VB是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計用于高壓應(yīng)用。該器件的漏源極電壓(VDS)為650V,最大柵極電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,使其在高電壓和大電流環(huán)境下工作。K2996-VB的導(dǎo)通電阻為830mΩ(@VGS=10V),具備良好的開關(guān)特性,能夠承受最大漏極電流10A。其平面(Plannar)技術(shù)確保了器件的穩(wěn)定性和高效能,廣泛應(yīng)用于電源管理、逆變器以及其他高壓開關(guān)電路中,成為高壓電子設(shè)備的理想選擇。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F  
- **溝道配置**:單N溝道  
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:830mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:10A  
- **技術(shù)類型**:平面(Plannar)  
- **功耗**:適合高功率應(yīng)用,確保穩(wěn)定工作  
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **開關(guān)電源**:K2996-VB廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)中,適用于高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。其高漏源極電壓和低導(dǎo)通電阻特性有助于提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少能量損失,從而為各種電子設(shè)備提供穩(wěn)定的電源。

2. **逆變器**:在光伏發(fā)電和風(fēng)能系統(tǒng)中,K2996-VB可用于逆變器電路,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高電壓承受能力和高效開關(guān)性能使其成為可再生能源系統(tǒng)中的理想選擇,提升整體能效和可靠性。

3. **電機控制**:K2996-VB可用于直流電機驅(qū)動和步進電機控制。其高電流能力確保能夠支持大功率電機的啟動和運行,提升電機控制系統(tǒng)的響應(yīng)速度和精確度,滿足工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用需求。

4. **LED驅(qū)動**:該MOSFET適合用于高功率LED驅(qū)動電路,能夠有效控制LED的電流,實現(xiàn)高效照明解決方案。由于其高電壓和電流承載能力,K2996-VB能夠驅(qū)動多個LED模塊,廣泛應(yīng)用于照明系統(tǒng)中。

通過這些應(yīng)用,K2996-VB在高壓和高功率電子設(shè)備中展現(xiàn)了其卓越的性能,成為設(shè)計工程師在高壓開關(guān)和電源管理系統(tǒng)中重要的選擇。

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