--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
K2996-VB是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計用于高壓應(yīng)用。該器件的漏源極電壓(VDS)為650V,最大柵極電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,使其在高電壓和大電流環(huán)境下工作。K2996-VB的導(dǎo)通電阻為830mΩ(@VGS=10V),具備良好的開關(guān)特性,能夠承受最大漏極電流10A。其平面(Plannar)技術(shù)確保了器件的穩(wěn)定性和高效能,廣泛應(yīng)用于電源管理、逆變器以及其他高壓開關(guān)電路中,成為高壓電子設(shè)備的理想選擇。
### 二、詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220F
- **溝道配置**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:10A
- **技術(shù)類型**:平面(Plannar)
- **功耗**:適合高功率應(yīng)用,確保穩(wěn)定工作
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **開關(guān)電源**:K2996-VB廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)中,適用于高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。其高漏源極電壓和低導(dǎo)通電阻特性有助于提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少能量損失,從而為各種電子設(shè)備提供穩(wěn)定的電源。
2. **逆變器**:在光伏發(fā)電和風(fēng)能系統(tǒng)中,K2996-VB可用于逆變器電路,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高電壓承受能力和高效開關(guān)性能使其成為可再生能源系統(tǒng)中的理想選擇,提升整體能效和可靠性。
3. **電機控制**:K2996-VB可用于直流電機驅(qū)動和步進電機控制。其高電流能力確保能夠支持大功率電機的啟動和運行,提升電機控制系統(tǒng)的響應(yīng)速度和精確度,滿足工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用需求。
4. **LED驅(qū)動**:該MOSFET適合用于高功率LED驅(qū)動電路,能夠有效控制LED的電流,實現(xiàn)高效照明解決方案。由于其高電壓和電流承載能力,K2996-VB能夠驅(qū)動多個LED模塊,廣泛應(yīng)用于照明系統(tǒng)中。
通過這些應(yīng)用,K2996-VB在高壓和高功率電子設(shè)備中展現(xiàn)了其卓越的性能,成為設(shè)計工程師在高壓開關(guān)和電源管理系統(tǒng)中重要的選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12