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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2A65DA4-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2A65DA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2A65DA4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K2A65DA4-VB 是一款高電壓單 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為需要高達(dá) 650V 的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏極電流 (ID) 可達(dá)到 4A,適用于多種高電壓環(huán)境。此 MOSFET 的柵極-源極電壓 (VGS) 可承受 ±30V,確保了在不同工作條件下的穩(wěn)定性。K2A65DA4-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 10V 柵極電壓下為 2560mΩ,使其在高電壓條件下依然具備合理的功率損耗表現(xiàn),適合在對(duì)電氣性能要求嚴(yán)格的應(yīng)用中使用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **開啟電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **熱阻 (RθJA)**:優(yōu)化設(shè)計(jì)以適應(yīng)高功率應(yīng)用。

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **高電壓電源轉(zhuǎn)換器**:
  K2A65DA4-VB 在**高電壓電源轉(zhuǎn)換器**中具有廣泛應(yīng)用。其650V的耐壓能力使其能夠處理高電壓輸入,適合用于 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等電源模塊。

2. **電動(dòng)機(jī)控制**:
  此 MOSFET 可以用于**電動(dòng)機(jī)控制**電路,尤其是在需要高電壓驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,如工業(yè)電機(jī)和家用電器。其良好的開關(guān)特性和高耐壓使其在控制高功率電動(dòng)機(jī)時(shí)具有良好的穩(wěn)定性。

3. **功率放大器**:
  在**功率放大器**設(shè)計(jì)中,K2A65DA4-VB 可用于音頻放大器和射頻放大器電路。其高電壓和適度的電流能力,能夠滿足高性能放大器對(duì)功率的要求,確保音質(zhì)和信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量。

4. **照明設(shè)備**:
  此 MOSFET 適用于**照明設(shè)備**中的開關(guān)應(yīng)用,如LED驅(qū)動(dòng)電路。由于其良好的導(dǎo)通特性,能夠高效地控制照明設(shè)備的開關(guān)狀態(tài),實(shí)現(xiàn)節(jié)能與高效照明的目的。

通過以上特點(diǎn),K2A65DA4-VB MOSFET 在多種高電壓應(yīng)用中均能提供穩(wěn)定和高效的性能,成為設(shè)計(jì)師和工程師的可靠選擇。

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