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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3043-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3043-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K3043-VB產(chǎn)品簡介

K3043-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計用于在高壓應(yīng)用中提供可靠的性能。其漏源電壓(VDS)高達650V,使其特別適合用于高電壓的開關(guān)和控制電路。該MOSFET的柵源電壓(VGS)范圍為±30V,能夠在各種工作條件下穩(wěn)定運行。K3043-VB的柵閾值電壓(Vth)為3.5V,具備較低的導通電阻(RDS(ON)為1100mΩ@VGS=10V),使其在導通狀態(tài)下功耗降低,從而提升了整體能效。最大漏極電流(ID)可達到7A,適合多種工業(yè)和消費電子應(yīng)用。憑借其平面工藝技術(shù),K3043-VB能夠在高溫和高頻環(huán)境中表現(xiàn)出色,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

### 二、K3043-VB詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F
- **溝道配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **柵極閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面工藝(Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C至150°C
- **開關(guān)速度**:適合高頻開關(guān)應(yīng)用
- **功耗**:設(shè)計以最低功耗工作,適合高效應(yīng)用

### 三、K3043-VB適用領(lǐng)域和模塊

K3043-VB由于其高電壓特性和優(yōu)異的導通性能,廣泛應(yīng)用于多個行業(yè)和應(yīng)用模塊。以下是一些典型應(yīng)用場景:

1. **電源供應(yīng)系統(tǒng)**:該MOSFET可在高壓電源模塊中作為開關(guān)元件,能夠有效控制電能的分配和轉(zhuǎn)換,提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

2. **電機驅(qū)動控制**:在工業(yè)電機驅(qū)動控制系統(tǒng)中,K3043-VB可以用于高壓電機的啟動和控制,確保電機在高負載下的安全和高效運行。

3. **逆變器和變頻器**:在太陽能逆變器和變頻器中,K3043-VB可以作為關(guān)鍵的開關(guān)元件,幫助實現(xiàn)高效的直流-交流(DC-AC)轉(zhuǎn)換,提升系統(tǒng)整體能效。

4. **照明控制電路**:在高壓照明控制系統(tǒng)中,K3043-VB能夠有效控制電流,通過降低導通損耗來提高LED燈具或高壓燈具的能效和亮度。

5. **電力電子設(shè)備**:在各種電力電子設(shè)備中,K3043-VB被廣泛用于高壓開關(guān)電路,能夠滿足高電流和高電壓的要求,為設(shè)備提供可靠的開關(guān)控制。

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