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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3093LS-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3093LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介(K3093LS-VB)
K3093LS-VB是一款高電壓N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,專為高壓開關(guān)和電源管理應(yīng)用而設(shè)計。該MOSFET的漏源電壓(VDS)高達650V,使其能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。柵源電壓(VGS)承受范圍為±30V,確保器件在各種電氣條件下的可靠性。K3093LS-VB采用平面(Plannar)技術(shù),具有較高的導通電阻(RDS(ON)),為2560mΩ@VGS=10V,漏極電流(ID)最大可達到4A,適用于多種電力電子應(yīng)用場景。其優(yōu)良的散熱性能和穩(wěn)定性使其成為高功率和高電壓設(shè)計的理想選擇。

### 詳細參數(shù)說明(K3093LS-VB)
- **封裝類型**:TO220F
- **通道配置**:單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)類型**:平面(Plannar)
- **最大功率耗散**:基于TO220F封裝設(shè)計,提供良好的散熱性能。

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **高壓電源供應(yīng)**:
  K3093LS-VB廣泛應(yīng)用于高壓電源供應(yīng)的電路中,尤其是在AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其高達650V的漏源電壓和4A的漏極電流能力使其能夠高效處理高功率電源管理需求,確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電動機控制**:
  在電動機控制系統(tǒng)中,K3093LS-VB可以作為開關(guān)元件使用,適合用于驅(qū)動高壓電動機的應(yīng)用,如工業(yè)電動機和高壓泵。其高電壓特性使其能夠在惡劣條件下安全可靠地工作,提供良好的控制性能。

3. **照明和照明控制模塊**:
  K3093LS-VB在照明應(yīng)用中表現(xiàn)良好,特別是在LED驅(qū)動和調(diào)光控制模塊中。由于其較高的電壓和電流處理能力,該MOSFET能夠有效地控制燈光輸出,提高照明系統(tǒng)的能效。

4. **可再生能源系統(tǒng)**:
  在可再生能源應(yīng)用中,如太陽能逆變器和風能發(fā)電系統(tǒng)中,K3093LS-VB能夠高效處理來自太陽能電池板或風力發(fā)電機的高電壓輸出,確保電能的有效轉(zhuǎn)換和輸送,提高系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

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