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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3095LS-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3095LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

K3095LS-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K3095LS-VB 是一款高電壓、高性能的單 N 溝道功率 MOSFET,封裝類型為 TO220F,專為應(yīng)對苛刻的電力應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏極-源極電壓 (VDS) 可達到 650V,適合高壓環(huán)境下的操作。該 MOSFET 的最大漏極電流 (ID) 為 10A,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 10V 的柵極電壓下為 830mΩ,具有較好的導(dǎo)通特性。K3095LS-VB 采用平面技術(shù)制造,適合多種工業(yè)和消費類應(yīng)用,為高電壓和高效率的電源管理提供解決方案。

詳細參數(shù)說明
封裝類型:TO220F
配置:單 N 溝道
最大漏極-源極電壓 (VDS):650V
最大柵極-源極電壓 (VGS):±30V
開啟電壓 (Vth):3.5V
導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):
830mΩ @ VGS=10V
最大漏極電流 (ID):10A
技術(shù):平面 (Plannar)
工作溫度范圍:-55°C 至 150°C
熱阻 (RθJA):設(shè)計優(yōu)化,適合高功率應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
高壓電源系統(tǒng): K3095LS-VB 在高壓電源系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,適合用于逆變器、開關(guān)電源等應(yīng)用。其650V的耐壓特性使其能夠滿足高壓電源系統(tǒng)的需求,確保電源的可靠性和穩(wěn)定性。

電機控制: 該器件廣泛應(yīng)用于電機控制系統(tǒng)中,特別是用于高壓直流電機或交流電機的驅(qū)動電路。它能夠在高負載條件下有效控制電機,提供所需的電流和電壓。

太陽能逆變器: 在太陽能逆變器中,K3095LS-VB 適合用于高電壓直流到交流的轉(zhuǎn)換,有助于提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性,是可再生能源系統(tǒng)的重要組件。

電池管理系統(tǒng)(BMS): 該 MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中也有應(yīng)用,能夠精確控制電池的充放電過程,保護電池免受過電壓和過流的影響,延長電池的使用壽命。

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