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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K3097LS-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K3097LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K3097LS-VB產(chǎn)品簡介

K3097LS-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝設計,專為高效能和高可靠性應用而研發(fā)。該器件的漏源電壓(VDS)高達650V,適合各種高電壓電源和開關應用。其柵源電壓(VGS)可達到±30V,具備良好的驅(qū)動靈活性。柵閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在低控制電壓下能夠可靠地開關。K3097LS-VB的導通電阻(RDS(ON)為680mΩ@VGS=10V)使得其在導通時具有較低的功耗和發(fā)熱,適用于對熱管理要求嚴格的應用場合。該MOSFET采用Plannar技術,能在不同工作環(huán)境下保持穩(wěn)定性,廣泛應用于電源管理、工業(yè)控制和電動汽車等多個領域。

### 二、K3097LS-VB詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F
- **溝道配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **柵閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 680mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:12A
- **技術**:Plannar
- **工作溫度范圍**:-55°C至150°C
- **開關速度**:適合快速開關應用
- **功耗**:優(yōu)化設計以降低功耗,提升能效

### 三、K3097LS-VB適用領域和模塊

K3097LS-VB因其優(yōu)異的高電壓承受能力和低導通電阻,廣泛應用于多個領域。以下是一些典型的應用場景:

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換**:在各種高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中,K3097LS-VB作為開關元件,能夠?qū)崿F(xiàn)高效能的電能轉(zhuǎn)換,尤其適用于電力系統(tǒng)和電信設備的高壓電源管理。

2. **電動汽車**:該MOSFET在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中非常有效,能承受高電壓和大電流,確保電動汽車的高效能和安全性,適合用于電動機驅(qū)動和能量回收系統(tǒng)。

3. **太陽能逆變器**:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,K3097LS-VB可以作為逆變器中的開關元件,以提高電能轉(zhuǎn)換效率,并穩(wěn)定電流輸出,適用于各種光伏應用。

4. **LED驅(qū)動電源**:在高功率LED照明應用中,該器件可用于LED驅(qū)動電源,以其低功耗和高效率驅(qū)動LED燈具,降低能耗。

5. **高頻開關電源**:K3097LS-VB適合用于高頻開關電源,如適配器和電源供應器,因其低導通電阻和快速開關特性,有助于提升整體系統(tǒng)效率和降低發(fā)熱。

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