91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K3130-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3130-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3130-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K3130-VB 是一款高電壓單 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的最大漏極-源極電壓 (VDS) 可達(dá) 650V,適用于需要高電壓操作的電力電子電路。其最大漏極電流 (ID) 為 7A,能在各種電源管理和轉(zhuǎn)換應(yīng)用中高效工作。K3130-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 10V 的柵極電壓下為 1100mΩ,表現(xiàn)出良好的電流導(dǎo)通性能。該器件采用 Plannar 技術(shù)制造,具有優(yōu)異的熱性能和可靠性,適合在高功率和高溫環(huán)境中使用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **開啟電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:Plannar
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **熱阻 (RθJA)**:優(yōu)化設(shè)計以滿足高功率應(yīng)用的要求。

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **高壓開關(guān)電源**:
  K3130-VB 在**高壓開關(guān)電源**中得到廣泛應(yīng)用,能夠承受高達(dá) 650V 的輸入電壓,非常適合用于高效的電壓轉(zhuǎn)換和穩(wěn)壓控制。

2. **電動機(jī)驅(qū)動器**:
  此 MOSFET 可用于**電動機(jī)驅(qū)動**應(yīng)用,尤其是在需要高電壓和高效能的場合,幫助實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的電動機(jī)控制和啟動。

3. **電源管理系統(tǒng)**:
  在各種**電源管理**系統(tǒng)中,K3130-VB 能有效地控制電源的開關(guān),保護(hù)電路免受過電流和過電壓的影響,是提升系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性的關(guān)鍵元件。

4. **逆變器與轉(zhuǎn)換器**:
  K3130-VB 適合用于**逆變器**和電壓轉(zhuǎn)換器中,能夠處理高壓直流到交流的轉(zhuǎn)換,是可再生能源系統(tǒng)(如太陽能發(fā)電)的重要組成部分。

K3130-VB MOSFET 以其高電壓特性和可靠性,成為高電壓電源應(yīng)用的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    427瀏覽量