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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K3407_06-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3407_06-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3407_06-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K3407_06-VB是一款高壓?jiǎn)蜰通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為650V,適合用于高壓電源和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。K3407_06-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為680mΩ@VGS=10V),確保在電流通過時(shí)的低功率損耗,同時(shí)其最大漏電流能力為12A,使其在各種高功率應(yīng)用中表現(xiàn)可靠。

### K3407_06-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:680mΩ(@ VGS = 10V)
- **最大漏電流 (ID)**:12A
- **技術(shù)**:Plannar技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓開關(guān)電源**:K3407_06-VB非常適合用于高壓開關(guān)電源(SMPS),由于其能夠承受高電壓并具備低導(dǎo)通電阻,有助于提升整體能效,減少功率損耗。

2. **逆變器**:在太陽(yáng)能逆變器和其他電力逆變應(yīng)用中,該MOSFET可穩(wěn)定高電壓操作,確保電能的高效轉(zhuǎn)換,適合可再生能源系統(tǒng)。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,K3407_06-VB可用于H橋電路,有效控制電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài),適合電動(dòng)工具及自動(dòng)化設(shè)備。

4. **電源管理模塊**:作為電源管理模塊中的開關(guān)元件,該MOSFET能實(shí)現(xiàn)高效的電源切換,廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心電源管理。

5. **LED驅(qū)動(dòng)電源**:在高功率LED驅(qū)動(dòng)電源中,K3407_06-VB能夠高效控制電流,確保LED亮度穩(wěn)定,適合各類商業(yè)和工業(yè)照明應(yīng)用。

K3407_06-VB憑借其高效能和可靠性,成為現(xiàn)代高壓電子設(shè)計(jì)中的重要組件。

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