--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
K3562-VB 是一款高壓單 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓為 650V,能夠承載高達(dá) 7A 的電流,非常適合于電源管理和開關(guān)電路中,特別是在要求高電壓的場合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: K3562-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 1100mΩ (VGS=10V)
- **ID**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar
### 適用領(lǐng)域和模塊
K3562-VB 廣泛應(yīng)用于高壓電源轉(zhuǎn)換器、逆變器及工業(yè)電氣設(shè)備。在電源管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可作為高壓開關(guān)元件,有效控制電力流動,減少能量損耗。此外,它在電動汽車充電系統(tǒng)和可再生能源系統(tǒng)中同樣適用,為這些高功率應(yīng)用提供穩(wěn)定和高效的性能。
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